高深宽比通孔的互连结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种高深宽比通孔的互连结构及制作方法，其包括基板，基板内设有若干通孔；在基板的第一主面上淀积有第一阻挡层，第二主面上淀积有第二阻挡层；第一阻挡层与第二阻挡层相接触，且第一阻挡层将通孔分隔成上填充槽及与所述上填充槽对应的下填充槽，且上填充槽与下填充槽通过第一阻挡层隔离；在上填充槽内填充有第一金属填充体，在下填充槽内填充有第二金属填充体，第一金属填充体通过第一阻挡层及第二阻挡层与第二金属填充体电连接；第一金属填充体、第二金属填充体、第一阻挡层及第二阻挡层与基板间绝缘连接。本发明结构简单紧凑，提高互连结构通孔的深宽比，降低成本，工艺步骤简单，安全可靠。

主权项

一种深宽比通孔的互连结构，包括基板（1），所述基板（1）具有第一主面及与所述第一主面对应的第二主面；其特征是：所述基板（1）内设有若干通孔；在所述基板（1）的第一主面上淀积有第一阻挡层（8），在所述基板（1）的第二主面上淀积有第二阻挡层（18）；所述第一阻挡层（8）覆盖在基板（1）的第一主面，并覆盖通孔内上部的侧壁，第二阻挡层（18）覆盖在基板（1）的第二主面，并覆盖通孔内下部的侧壁，第一阻挡层（8）与第二阻挡层（18）相接触，且第一阻挡层（8）将通孔分隔成上填充槽及与所述上填充槽对应的下填充槽，且上填充槽与下填充槽通过第一阻挡层（8）隔离；在上填充槽内填充有第一金属填充体（10），在下填充槽内填充有第二金属填充体（20），第一金属填充体（10）通过第一阻挡层（8）及第二阻挡层（18）与第二金属填充体（20）电连接；第一金属填充体（10）、第二金属填充体（20）、第一阻挡层（8）及第二阻挡层（18）与基板（1）间绝缘连接；所述基板（1）的材料为硅时，在基板（1）的第一主面淀积有第一绝缘层（5），所述第一绝缘层（5）覆盖基板（1）的第一主面，并覆盖通孔的侧壁；在基板（1）的第二主面淀积有第二绝缘层（16），第一阻挡层（8）覆盖在第一绝缘层（5）上，第二阻挡层（18）覆盖在第二绝缘层（16）上，并覆盖在通孔内对应的第一绝缘层（5）上；第一金属填充体（10）、第二金属填充体（20）、第一阻挡层（8）及第二阻挡层（18）通过第一绝缘层（5）及第二绝缘层（16）与基板（1）间绝缘连接；在所述基板（1）的第一主面上设有第一绝缘隔离层（11），相邻通孔内的第一金属填充体（10）通过第一绝缘隔离层（11）绝缘隔离，且第一绝缘隔离层（11）覆盖第一金属填充体（10）对应的表面；在所述基板（1）的第二主面上设有第二绝缘隔离层（21），相邻通孔内的第二金属填充体（20）通过第二绝缘隔离层（21）绝缘隔离，且第二绝缘隔离层（21）覆盖第二金属填充体（20）对应的表面；第一金属填充体（10）上设有第一连接电极，所述第一连接电极与第一金属填充体（10）电连接；第二金属填充体（20）上设有第二连接电极，所述第二连接电极与第二金属填充体（20）电连接。