一种SiGe HBT工艺中的VPNP器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种SiGe HBT工艺中VPNP器件的制造方法，包括：在P型衬底上制作浅沟槽隔离，在浅沟槽隔离底部注入形成P埋层和N埋层，注入形成深N阱；二次P型杂质注入形成P阱；生长隔离介质，刻蚀去除部分隔离介质，打开发射区窗口，生长锗硅外延；刻蚀后，再次生长隔离介质，打开多晶硅层窗口，淀积多晶硅层，将锗硅外延上的部分多晶硅层和隔离介质去除；将P埋层和N埋层通过深接触孔引出连接金属连线，多晶硅层和锗硅外延通过接触孔引出连接金属连线。本发明还公开了一种SiGe HBT工艺中的VPNP器件。本发明制造方法所生产VPNP器件在不改变器件基本击穿特性的基础上，能提高器件的射频特性，能降低VPNP管的寄生NPN器件的放大系数，降低衬底电流。

主权项

一种SiGe HBT工艺中的VPNP器件，其特征是，包括：P型衬底上部形成有P埋层和深N阱，深N阱的上部形成有N埋层、P埋层和P阱，深N阱上部的P埋层位于P阱两侧与P阱相连，N埋层位于深N阱上部两侧边缘与P埋层被深N阱隔离；P阱上形成有基区，基区上部中央形成有发射区，发射区上方形成有锗硅外延和隔离介质，基区上方形成有多晶硅层和隔离介质，隔离介质将锗硅外延和多晶硅层隔离；P埋层和N埋层通过深接触孔引出连接金属连线，多晶硅层和锗硅外延通过接触孔引出连接金属连线。