一种超结半导体器件

摘要

本实用新型涉及一种超结半导体器件，其超结结构的单元尺寸为W，其中，超结结构中第一导电类型柱的宽度为W1，超结结构中第二导电类型柱的宽度为W2，W=W1+W2；器件元胞的单元尺寸为W3；超结结构中任一第二导电类型柱与至少一个第二导电类型体区相接触，超结构结构的单元尺寸W小于器件元胞的单元尺寸W3，且超结结构中第一导电类型柱的宽度W1不小于第二导电类型柱的宽度W2。本实用新型可以有效的解决现有漂移区中超结结构单元尺寸缩小与器件元胞间直接的矛盾，可以更进一步降低器件导通电阻，具有更好的开关特性，可以在不增加工艺成本和工艺难度的情况下，显著缩小超结结构单元尺寸。

主权项

一种超结半导体器件，包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底以及与所述第一导电类型衬底邻接的第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的上表面形成半导体基板的第一主面，第一导电类型衬底的下表面形成半导体基板的第二主面；在第一导电类型漂移区内设置若干由第一导电类型柱与第二导电类型柱交替排布构成的超结结构，超结结构内的第一导电类型柱、第二导电类型柱在第一导电类型漂移区内从第一主面沿第一主面指向第二主面的方向延伸；在半导体基板的第一主面设置若干器件元胞，所述器件元胞包括从半导体基板第一主面向下延伸进入第一导电类型漂移区内的第二导电类型体区；其特征是：超结结构的单元尺寸为W，其中，超结结构中第一导电类型柱的宽度为W1，超结结构中第二导电类型柱的宽度为W2，W=W1+W2；器件元胞的单元尺寸为W3；超结结构中任一第二导电类型柱与至少一个第二导电类型体区相接触，超结构结构的单元尺寸W小于器件元胞的单元尺寸W3，且超结结构中第一导电类型柱的宽度W1不小于第二导电类型柱的宽度W2。