III–V族纳米结构及其制作方法

摘要

本申请公开了一种III-V族纳米结构，包括III-V族基底以及形成于所述III-V族基底上的多孔结构，所述每个孔包括上下相通的多个六方体空间。本申请还公开了一种III-V族纳米结构的制备方法。本发明合成的III-V族三维层状多孔纳米结构材料在结构上，具备纯度高，形貌结构一致（呈六方状），层状分布明显等特点；在制备工艺上，具备反应条件温和，设备简单，工艺条件易控，而且成本低等优点，并符合实际生产的需要。该新颖结构有望应用于III-V族基的先进光学电子器件中，包括LED，生物化学传感器，太阳能电池，光学元器件等。

主权项

一种III‑V族纳米结构，其特征在于：包括 III‑V族基底以及形成于所述III‑V族基底上的多孔结构。