| 发明名称 | 接触插塞的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种接触插塞的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层内形成贯穿其厚度的接触孔；在90℃～100℃的温度条件下对所述接触孔进行修复处理；在所述修复处理之后，对所述接触孔进行湿法清洗；采用导电材料填充满所述接触孔。所述接触插塞的形成方法能够提高接触插塞的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN104979275A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410136570.3 | 申请日期 | 2014.04.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;黄敬勇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种接触插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层内形成贯穿其厚度的接触孔；在90℃～100℃的温度条件下对所述接触孔进行修复处理；在所述修复处理之后，对所述接触孔进行湿法清洗；采用导电材料填充满所述接触孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||