发明名称 |
SONOS存储器 |
摘要 |
本发明公开了一种SONOS存储器,包括数据储存的主区域和备份区域。本发明器件的备份区域也是采用SONOS晶体管作为存储单元,通过将备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加,能够提高整个备份区域的工作速度,并使备份区域的工作速度大于主区域的工作速度,满足备份区域的快速工作的要求。同时本发明的备份区域采用SONOS晶体管后,尽管备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加了,但是备份区域的SONOS晶体管仍然具有几小时~几天的数据保存能力,故能使的备份区域的存储的数据在掉电后不会丢失,从而能给用户带来很大的方便。 |
申请公布号 |
CN103178063B |
申请公布日期 |
2015.10.14 |
申请号 |
CN201110435798.9 |
申请日期 |
2011.12.22 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
陈广龙;谭颖 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种SONOS存储器,其特征在于,包括数据储存的主区域和备份区域;所述主区域的存储单元由一个第一SONOS晶体管组成;所述备份区域的存储单元由两个第二SONOS晶体管组成,两个所述第二SONOS晶体管连接形成SONOS闩锁晶体管结构;所述SONOS闩锁晶体管的两个所述第二SONOS晶体管的源极连接在一起,一个所述第二SONOS晶体管的栅极接一个字线、另一个所述第二SONOS晶体管的栅极接另一个的字线,一个所述第二SONOS晶体管的漏极接一个位线、另一个所述第二SONOS晶体管的漏极接另一个的位线;所述第一SONOS晶体管的擦写时间长到并满足使所述第一SONOS晶体管的数据保存特性大于10年;所述第二SONOS晶体管的沟道长度大于所述第一SONOS晶体管的沟道长度,所述第二SONOS晶体管的沟道宽度大于所述第一SONOS晶体管的沟道宽度;通过将所述第二SONOS晶体管的沟道长度和宽度设置为和所述第一SONOS晶体管的沟道长度和宽度不同的值使所述第二SONOS晶体管的擦写时间满足使所述第二SONOS晶体管的数据保存特性为几小时~几天。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |