钛基底上二氧化锰纳米线阵列电极及其制备方法

摘要

本发明具体涉及一种钛基底上二氧化锰纳米线阵列电极及其制备方法，所述电极由钛基底上二氧化锰纳米线阵列构成，其单根二氧化锰纳米线直径为50～500纳米，垂直、均匀、密集地分布在钛金属表面，呈现阵列形式；所述电极的制备方法为：将高锰酸钾、去离子水、丙酮和盐酸溶液充分混合均匀后得到混合溶液；将钛金属片置于所述混合溶液中，放入反应釜中密封加热到200℃，保持9小时～10小时；待混合溶液自然冷却后将钛金属片取出，得到钛基底上二氧化锰纳米线阵列电极。本发明所述电极应用于锂离子电池中展现出良好的循环性能和倍率性能，应用于超级电容器中显示优异的电化学性能。

主权项

一种钛基底上二氧化锰纳米线阵列电极，其特征在于，所述电极由钛基底上二氧化锰纳米线阵列构成，其单根二氧化锰纳米线直径为50～500纳米，垂直、均匀、密集地分布在钛金属表面，呈现阵列形式，其制备方法如下：（1）将高锰酸钾、去离子水、丙酮和盐酸溶液充分混合均匀后得到混合溶液；（2）将钛金属片置于所述混合溶液中，放入反应釜中密封加热到200℃，保持9小时~10小时；待混合溶液自然冷却后将钛金属片取出，得到钛基底上二氧化锰纳米线阵列电极；所述丙酮和去离子水的体积比为6:1~7:1，所述盐酸溶液的体积与丙酮和去离子水的总体积比为0.0025~0.004:1，所述溶液中高锰酸钾的质量与丙酮和去离子水的总体积比为11g/L~15g/L，所述盐酸溶液的质量分数为37%。