发明名称 | 钽容器的渗碳处理方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种钽容器的渗碳处理方法,其能够容易控制钽容器各部位的渗碳处理的厚度,能够以均匀的厚度进行渗碳处理。该方法为使碳渗透于由钽或者钽合金构成的钽容器(1)的渗碳处理方法,其特征在于,包括:将钽容器(1)由设置在腔室(3)内的支撑部件(5、6)支撑并配置在腔室(3)内的工序;和对腔室(3)内进行减压和加热的工序,且在不易进行渗碳处理的部位附近设置碳源。 | ||
申请公布号 | CN103261467B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
申请号 | CN201180054253.1 | 申请日期 | 2011.07.06 |
申请人 | 东洋炭素株式会社 | 发明人 | 渡边将成;阿部纯久 |
分类号 | C23C8/64(2006.01)I | 主分类号 | C23C8/64(2006.01)I |
代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
主权项 | 一种渗碳处理方法,其为使碳渗透于由钽或者钽合金构成的钽容器的渗碳处理方法,其特征在于,包括:将所述钽容器由设置在腔室内的支撑部件支撑并配置在腔室内的工序;和对所述腔室内进行减压和加热的工序,所述腔室的至少内壁由碳源构成,且在不易进行渗碳处理的部位附近,与所述钽容器分离地设置其它碳源,作为所述不易进行渗碳处理的部位附近,为距离该部位0~50mm的范围,所述钽容器由底面部、侧壁部、开口部形成,所述不易进行渗碳处理的部位为所述钽容器内侧的所述底面部和所述侧壁部、或者为由所述钽容器内侧的所述底面部和所述侧壁部构成的角落部。 | ||
地址 | 日本大阪府 |