一种多晶硅生产方法

摘要

本发明提供一种多晶硅生产方法，通过改变还原炉内喷嘴的数量，以及在还原炉运行阶段和还原炉停炉降料阶段，优化、调整三氯氢硅料量、氢气与三氯氢硅的摩尔配比、还原炉炉内温度等工艺参数，减少硅棒倒伏的情况，提高启炉成功率，降低硅棒表面菜花率，提高产品质量，该方法投资小，简单易行。

主权项

一种多晶硅生产方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在还原炉初始进料阶段、还原炉运行阶段和还原炉停炉降料阶段，持续将三氯氢硅和氢气的混合气通入还原炉；反应开始的0‑t₀小时为还原炉初始进料阶段，在还原炉初始进料阶段，维持氢气与三氯氢硅流量的摩尔配比R不变，逐步增加三氯氢硅料量F_TCS，维持还原炉的初始温度不变；反应开始的t₀‑t₅小时为还原炉运行阶段，在还原炉运行阶段，按照多个控制阶段，分别控制三氯氢硅料量F_TCS、氢气与三氯氢硅流量的摩尔配比R，以及还原炉炉内温度T；其中，按照以下控制曲线，控制三氯氢硅料量F_TCS，单位为kg/h：F_TCS=A1*t+B1(t₀<t<t₁)；F_TCS=A2*t+B2(t₁≤t<t₂)；F_TCS=A3*t+B3(t₂≤t<t₃)；F_TCS=A3*t₃+B3(t₃≤t<t₄)；F_TCS=A5*t+B4(t₄≤t≤t₅)；A1、A2、A3、A5、B1、B2、B3、B4为常数，且0＜A2＜A1，A2＜A3，A5＜0；t为从进料开始的反应时间，t₁、t₂、t₃、t₄、t₅为常数，t₀＜t₁＜t₂＜t₃＜t₄＜t₅；反应开始的t₅‑t₈小时为还原炉停炉降料阶段，在还原炉停炉降料阶段，逐步降低三氯氢硅料量F_TCS，维持t₅时刻的氢气与三氯氢硅流量的摩尔配比R不变，并先维持还原炉炉内的温度一段时间，再逐步降低还原炉炉内的温度。