| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极结构，在栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；在凹槽的侧壁和底部形成籽晶层，形成籽晶层的同时原位掺杂磷于籽晶层；在籽晶层上形成嵌入式锗硅层，以完全填充凹槽。根据本发明，可以有效抵消掺杂于嵌入式锗硅层的硼向籽晶层与半导体衬底之间的界面扩散而产生的堆积效应对器件性能的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104979291A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410143544.3 | 申请日期 | 2014.04.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 袁竹根 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；在所述凹槽的侧壁和底部形成籽晶层，形成所述籽晶层的同时原位掺杂磷于所述籽晶层；在所述籽晶层上形成嵌入式锗硅层，以完全填充所述凹槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||