发明名称 半导体装置和电子设备
摘要 本实用新型提供一种半导体装置和电子设备,所述半导体装置包括:半导体元件、绝缘基板以及散热板,其中,所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层,所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层,所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件,所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板,所述绝缘基板、第1金属层以及第2金属层的内部具有通孔,在所述通孔内设置有金属连接部。能够在基板的厚度方向上布置地线,从而使得基板的面积小型化,另外,能够有效提高半导体装置的散热性能。
申请公布号 CN204706561U 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201520454750.6 申请日期 2015.06.29
申请人 三垦电气株式会社 发明人 大美贺孝;藤本健治;荻野博之
分类号 H01L23/538(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L23/538(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 陶海萍
主权项 一种半导体装置,所述半导体装置包括:半导体元件、绝缘基板以及散热板,其特征在于,所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层,所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层,所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件,所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板,所述绝缘基板、第1金属层以及第2金属层的内部具有通孔,在所述通孔内设置有金属连接部。
地址 日本埼玉县