具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件，包括有表面沟道的PMOS器件，该PMOS器件的栅极由p型掺杂的第一多晶硅层及其之上的n型掺杂的第二多晶硅层组成，在第二多晶硅层的表面形成有多晶硅化物，所述第二多晶硅层的掺杂浓度大于第一多晶硅层。本发明还公开了其制造方法。对PMOS而言，是由n型多晶硅和p型多晶硅的复合结构构成栅极。一方面，由于和PMOS的栅氧化层接触的是p型多晶硅栅，保证了表面沟道PMOS特性的实现，另一方面，在p型多晶硅上方叠加了n型多晶硅，又确保了其和多晶硅化物的良好欧姆接触，实现表面沟道PMOS器件的多晶硅化物制造。对CMOS而言，其栅极由两个n型多晶硅叠加形成，对其性能并无影响。

主权项

一种具有多晶硅化物的表面沟道CMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在p型衬底中制作隔离结构，并注入形成p阱和n阱；第2步，在衬底表面淀积一层氧化硅；第3步，在氧化硅之上淀积第一多晶硅层；第4步，对p阱之上的第一多晶硅层注入n型杂质；第5步，对n阱之上的第一多晶硅层注入p型杂质；第6步，在第一多晶硅层之上淀积并形成n型掺杂的第二多晶硅层；第7步，在第二多晶硅层之上形成多晶硅化物；第8步，刻蚀形成NMOS和PMOS的栅极，并在其两侧制作侧墙，在p阱和n阱中注入形成源极、漏极。