金属氧化物阻变存储器及制造方法

摘要

本发明公开了一种金属氧化物阻变存储器，阻变存储介质层的材料为由氧化硅和金属氧化物组成的复合材料。本发明还公开了一种金属氧化物阻变存储器的制造方法。本发明金属氧化物阻变存储器通过在金属氧化物阻变存储器材料中引入不具备阻变性能的高阻态硅氧化物网络，能降低阻变存储介质层的有效界面面积，从而能提高器件的工作电阻区间、降低器件的操作功耗。

主权项

一种金属氧化物阻变存储器，其特征在于：金属氧化物阻变存储器的阻变存储介质层的材料为由氧化硅和金属氧化物组成的复合材料；所述阻变存储介质层的底端和硅单晶基底接触，所述阻变存储介质层的氧化硅和金属氧化物由和所述硅单晶基底的硅接触的金属进行合金化后在进行氧化形成；所述阻变存储介质层的氧化硅形成不具备阻变性能的高阻态硅氧化物网络并用于降低所述阻变存储介质层的有效界面面积；在所述硅单晶基底上形成有和所述硅单晶基底表面直接接触的通孔；在所述硅单晶基底上还形成有和所述阻变存储介质层的顶端直接接触的通孔；各所述通孔的顶部为引出端且和金属连线层连接，所述阻变存储介质层的底端通过和所述硅单晶基底表面直接接触的通孔和所述金属连线层连接，所述阻变存储介质层的顶端通过和所述阻变存储介质层的顶端直接接触的通孔和所述金属连线层连接。