一种无机质子导电膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种无机质子导电膜的制备方法，包括：采用化学气相沉积技术，将反应源通入沉积体系中，通过调节工艺参数，在衬底上制备出磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜。本发明还提供了一种基于该方法制备的导电膜，及用所述导电膜制成的制品。本发明原材料来源丰富、价格便宜；制备工艺与现有设备相容，适于大面积连续生产；前景广阔、用途广泛，可在薄膜晶体管、聚合物电解质膜燃料电池、电化学传感器、水/蒸汽电解、生物系统等领域得到广泛应用。

主权项

一种无机质子导电膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：将反应源通入反应腔室，并进行化学气相沉积，从而形成具有介孔结构的磷掺杂二氧化硅无机质子导电膜，其中，所述的反应源包括硅源、磷源和氧源；且所述的氧源选自下组：氮气或氩气携带去离子水和/或氧气，且所述去离子水为气态；并且在三种反应源中先通入氧源，再通入硅源和磷源，其中，硅源和磷源同时通入。