RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法，包括步骤：1）刻蚀光刻对准标记区；2）生长氧化硅-氮化硅叠层；3）单晶硅回刻形成浅沟槽；4）淀积氧化硅；5）用氧化硅对氮化硅高选择比的硬掩膜干法刻蚀工艺，在单晶硅浅沟槽中形成深沟槽图形；6）用单晶硅对氧化硅和氮化硅高选择比的干法刻蚀工艺，在厚场氧区形成深沟槽。本发明通过在硅片边缘斜面区和光刻对准标记区形成ONO叠层，同时在深沟槽硬掩膜刻蚀过程中使用氧化膜对氮化膜高选择比的工艺，在深沟槽刻蚀中使用单晶硅对介质膜高选择比的工艺，有效避免了深沟槽干法刻蚀后硅片边缘斜面区和光刻对准标记区出现硅尖刺缺陷。

主权项

RFLDMOS隔离介质层深沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅片的划片槽内刻蚀出零层光刻对准标记区；2)依次生长二氧化硅膜和氮化硅膜；3)单晶硅回刻，在厚场氧区的深沟槽区域上面形成单晶硅浅沟槽；4)淀积二氧化硅硬掩膜；5)用二氧化硅对氮化硅高选择比的硬掩膜干法刻蚀工艺，在单晶硅浅沟槽中形成深沟槽图形；6)用单晶硅对二氧化硅和氮化硅高选择比的干法刻蚀工艺，在厚场氧区形成深沟槽。