PBNZT强电介质膜、溶胶凝胶溶液、成膜方法及强电介质膜的制造方法

摘要

本发明提供一种可以充分地防止氧离子的缺损的PBNZT强电介质膜。本发明的PBNZT强电介质膜是由以ABO₃表钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，所述钙钛矿结构强电介质是作为A点位离子含有Pb²⁺、并且作为B点位离子含有Zr⁴⁺及Ti⁴⁺的PZT系强电介质，在A点位作为A点位补偿离子含有Bi³⁺，在B点位作为B点位补偿离子含有Nb⁵⁺。

主权项

一种PBNZT强电介质膜，其是由包含氧离子缺损的以ABO₃表示的钙钛矿结构强电介质构成的强电介质膜，其特征在于，所述钙钛矿结构强电介质是作为A点位离子含有Pb²⁺、并且作为B点位离子含有Zr⁴⁺及Ti⁴⁺的PZT系强电介质，在A点位作为A点位补偿离子含有Bi³⁺，在B点位作为B点位补偿离子含有Nb⁵⁺，所述A点位补偿离子的含量相对于所述钙钛矿结构强电介质的化学计量组成为5mol％以上10mol％以下，所述B点位补偿离子的含量相对于所述钙钛矿结构强电介质的化学计量组成为5mol％以上且低于10mol％，由所述A点位补偿离子造成的整个A点位的过剩价数与由所述B点位补偿离子造成的整个B点位的过剩价数的合计与对应于所述氧离子缺损的量的不足价数相同，或者小于该不足价数。