| 发明名称 | 隔离型高耐压场效应管的版图结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，包括漏区、源区、漏区漂移区、漂移区、源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板；源区多晶硅场板及栅极为通过圆弧场板连接的内外双层U型结构，且U型结构的开口处封闭；封闭的漏区多晶硅场板位于源区多晶硅场板及栅极的内外双层U型结构之间；漏区位于闭合的漏区多晶硅场板内，漏区漂移区位于源区多晶硅场板及栅极和漏区多晶硅场板之间，源区位于源区多晶硅场板及栅极的外层之外及内层和外层之间，所述源区和漏区位于漂移区内，源区与硅基板衬底被漂移区隔离。本发明利用源区整个包围漏区，并在器件尾部增加场板，通过P型掺杂区包围漏区漂移区，防止电场集中，提高器件击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN103123929B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201110371064.9 | 申请日期 | 2011.11.21 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 金锋;朱丽霞 |
| 分类号 | H01L29/08(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种隔离型高耐压场效应管的版图结构，其特征在于，包括漏区(201)、源区(202)、漏区漂移区(203)、漂移区(102)、源区多晶硅场板及栅极(109)和漏区多晶硅场板(110)；所述源区多晶硅场板及栅极(109)为通过圆弧场板连接的内外双层U型结构，且U型结构的开口处通过源区多晶硅场板及栅极(109)封闭；所述漏区多晶硅场板(110)也为内外双层U型结构，内外双层通过圆弧场板连接，且漏区多晶硅场板(110)位于源区多晶硅场板及栅极(109)的内外双层U型结构之间；所述漏区(201)位于闭合的漏区多晶硅场板(110)内，漏区漂移区(203)位于源区多晶硅场板及栅极(109)和漏区多晶硅场板(110)之间，源区(202)位于源区多晶硅场板及栅极(109)的外层之外及内层和外层之间，所述源区(202)和漏区(201)位于漂移区(102)内，源区(202)与硅基板衬底(101)被漂移区(102)隔离。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||