发明名称 发光元件
摘要 本发明公开一种发光元件,其包含:一半导体叠层,具有一第一面以及一与第一面相对的第二面;一沟槽形成于半导体叠层之中,具有一开口接近第二面、一底部、与一内侧壁连接开口与底部,其中开口的面积大于底部的面积。发光元件还包含一介电层形成于沟槽的内侧壁与第二面上;及一第一金属层形成于介电层上。
申请公布号 CN102386319B 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201110253632.5 申请日期 2011.08.30
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 陈昭兴;杨於铮;周理评;叶慧君;古依雯
分类号 H01L33/62(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/62(2010.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯
主权项 一种发光元件,包含:半导体叠层,包含第一面以及与该第一面相对的第二面,其中该半导体叠层还包含具有第一导电性的第一半导体层、具有第二导电性的第二半导体层,及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间;沟槽形成于该半导体叠层之中,其中该沟槽包含开口、底部与内侧壁,其中该开口接近该第二面,该内侧壁连接该开口与该底部,该开口的面积大于该底部的面积,该第一半导体层靠近该第一面,该第二半导体层靠近该第二面;介电层形成于该沟槽的该内侧壁与该第二面上;承载基板靠近该第二面;第一金属层形成于该介电层之上,其中该第一金属层与该第一半导体层相连接,该第一金属层透过该介电层以与该第二半导体层电性绝缘;电极与该第二半导体层电连接,其中该电极与该承载基板形成于该第一金属层之相对侧;及导电凸出结构位于该沟槽中。
地址 中国台湾新竹市