改善岛状光刻胶剥落的方法

摘要

本发明公开了一种改善岛状光刻胶剥落的方法，包括步骤：1)在衬底氧化膜表面涂布负光刻胶，用光刻版进行露光显影；2)对衬底进行刻蚀；3)去除负光刻胶；4)在衬底表面涂布正光刻胶，用同一光刻版进行露光显影。该方法可以提高半导体制造工艺的稳定性和器件的可靠性。在进行常规岛状光刻前，先用同一光刻版进行负胶光刻和反向刻蚀，在岛状区域内刻蚀出一个凹槽，如此，在进行后续的岛状光刻时，部分光刻胶就会嵌入到衬底中，从而增加了光刻胶与衬底的粘附力，使岛状光刻胶在后续的半导体工艺中不易发生剥落。

主权项

一种改善岛状光刻胶剥落的方法，包括岛状光刻步骤：在衬底表面涂布正光刻胶，用光刻版进行露光显影；其特征在于，在岛状光刻步骤之前，还包括以下步骤：1)在衬底氧化膜表面涂布负光刻胶，用同一光刻版进行露光显影；2)对衬底进行刻蚀；3)去除负光刻胶。