BCD工艺中的NLDMOS器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种BCD工艺中的NLDMOS器件，NLDMOS器件的漏端包括：N阱，形成于N型外延层中，被场氧化层的一侧部分覆盖；第一N型注入区，形成于N型中，和BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的工艺条件相同；第二N型注入区，形成于第一N型注入区中，和NLDMOS器件的源极的离子注入区的工艺条件相同。本发明还公开了一种BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法。本发明能在保证器件的击穿电压不变的条件下减少器件的导通电阻。

主权项

一种BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于：形成NLDMOS器件的漏端包括如下步骤：在场氧化层形成后在N型外延层中形成N阱，所述N阱被所述场氧化层的一侧部分覆盖；采用BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的离子注入工艺在所述N阱中形成第一N型注入区；采用源极的离子注入工艺在第一N型注入区中形成第二N型注入区；BCD工艺中的NLDMOS器件的制造方法包括如下步骤：步骤一、在所述N型外延层上形成所述场氧化层；步骤二、在所述场氧化层一侧的所述N型外延层中进行离子注入形成所述N阱；步骤三、形成栅氧化层，并淀积多晶硅；采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀定义出所述源极的形成区域、并将所述源极的形成区域上的所述多晶硅刻蚀掉；步骤四、以所述第一次刻蚀的光刻胶为掩膜进行离子注入在所述N型外延层中形成P型背栅，所述P型背栅和所述场氧化层的另一侧相隔一段距离；步骤五、采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅进行第二次刻蚀形成多晶硅栅，所述多晶硅栅延伸到所述场氧化层上；在所述多晶硅栅的侧面上形成侧墙；步骤六、采用BCD工艺中的齐纳二极管的N型注入区的离子注入工艺在所述N阱中形成第一N型注入区；步骤七、以所述多晶硅栅和其侧墙为硬掩膜进行N型离子注入工艺同时形成所述源极和所述第二N型注入区；形成P型背栅接触区。