发明名称 |
透明导电性薄膜 |
摘要 |
本实用新型提供透明导电性薄膜,其透明性和处理性良好、且电阻率更小。透明导电性薄膜(1)至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)、固化层(3)、无机硅氧化物层(4)及铟-锡氧化物层(5)。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)的厚度为40μm~130μm。并且固化层(3)在该固化层内具备多个无机颗粒(3b)。固化层(3)的厚度(d<sub>A</sub>)与无机硅氧化物层(4)的厚度(d<sub>B</sub>)的总和为300nm以上并且不足3000nm。无机硅氧化物层(4)的厚度超过15nm,铟-锡氧化物层(5)的厚度为15nm以上并且50nm以下,且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。 |
申请公布号 |
CN204706006U |
申请公布日期 |
2015.10.14 |
申请号 |
CN201520382370.6 |
申请日期 |
2015.06.04 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
藤野望;加藤大贵;梨木智刚 |
分类号 |
G06F3/041(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/041(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种透明导电性薄膜,其特征在于,至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、固化层、无机硅氧化物层及铟‑锡氧化物层,所述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的厚度为40μm~130μm,所述固化层在该固化层内具备多个无机颗粒,所述固化层的厚度与所述无机硅氧化物层的厚度的总和为300nm以上并且不足3000nm,所述无机硅氧化物层的厚度超过15nm,所述铟‑锡氧化物层的厚度为15nm以上并且50nm以下,且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。 |
地址 |
日本大阪府 |