发明名称 |
用于降低的电容性串音的具有金属半导体接触件的微机械超声转换器设备 |
摘要 |
实施方式通过将衬底接地来降低微机械超声转换器(MUT)阵列之间的电容性串音,该阵列在该衬底上被制造。在实施方式中,金属半导体接触件被形成为衬底的半导体设备层并耦合到转换器元件的第一电极的公共接地面,以抑制连接到转换器元件的第二电极的信号线的电容性耦合。 |
申请公布号 |
CN104981916A |
申请公布日期 |
2015.10.14 |
申请号 |
CN201480007984.4 |
申请日期 |
2014.01.30 |
申请人 |
富士胶片戴麦提克斯公司 |
发明人 |
A·哈贾蒂;D·拉特夫;D·加德纳;H-F·S·劳 |
分类号 |
H01L41/113(2006.01)I |
主分类号 |
H01L41/113(2006.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
罗攀;肖冰滨 |
主权项 |
一种微机械超声转换器(MUT)阵列,包括:多个转换器元件,设置在衬底的区域上的,每个元件具有参考电极和信号电极,该转换器元件的所述参考电极互连并耦合到同一个参考电势面;金属半导体接触件,位于所述衬底的半导体层上;以及一个或多个导电路径,将所述金属半导体接触件连接到所述参考电势面的。 |
地址 |
美国新罕布什尔州 |