| 发明名称 | 一种半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成伪栅结构后，采用含有H<sub>2</sub>（氢气）的气体为刻蚀气体进行干法刻蚀工艺，去除伪栅结构的伪栅材料层，本发明仅以干法刻蚀工艺去除伪栅材料层，可有效提高去除伪栅材料层的速率，而且所述干法刻蚀工艺采用含有H<sub>2</sub>的气体进行干刻，H<sub>2</sub>不会电离而形成H<sup>+</sup>，从而减少刻蚀工艺中H<sup>+</sup>对半导体衬底材料的轰击，进而减少H<sup>+</sup>对半导体衬底的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN104979174A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410133364.7 | 申请日期 | 2014.04.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;尚飞 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括伪栅材料层；采用干法刻蚀工艺去除所述伪栅材料层，所述干法刻蚀工艺采用含有H<sub>2</sub>的气体为刻蚀气体。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||