| 发明名称 | 栅极及晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种栅极及晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极材料层；采用等离子刻蚀机对栅极材料层进行等离子刻蚀，以形成栅极；其中，等离子刻蚀的步骤包括：使等离子刻蚀机输出脉冲式功率，以对栅极材料层进行脉冲刻蚀。本发明还提供一种晶体管的形成方法，包括：采用如上述方法形成晶体管的栅极。本发明的有益效果在于，本发明的刻蚀方式中的刻蚀可以实现间断的刻蚀效果，这样可以使等离子的电子温度在刻蚀间断时得到一定程度的降低，有利于减小等离子的电子温度，进而减小对衬底的影响程度，也就是说，减小在刻蚀形成栅极的时候对衬底的损耗，以尽量避免在衬底上形成凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN104979175A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410133562.3 | 申请日期 | 2014.04.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;任佳 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极材料层；采用等离子刻蚀机对所述栅极材料层进行等离子刻蚀，以形成栅极；其中，等离子刻蚀的步骤包括：使等离子刻蚀机输出脉冲式功率，以对所述栅极材料层进行脉冲刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||