| 发明名称 | 一种FinFET器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种FinFET器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多个鳍片，在鳍片之间形成有隔离结构；实施臭氧清洗处理，以在鳍片的未被隔离结构遮蔽的表面形成氧化层；实施SiCoNi清洗处理，直至去除氧化层。根据本发明，通过依次实施的臭氧清洗处理和SiCoNi清洗处理，可以明显改善鳍片表面的粗糙度，确保不影响后续执行的工艺步骤的实施效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104979209A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410141011.1 | 申请日期 | 2014.04.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 林艺辉;宋伟基;张琴 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种FinFET器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个鳍片，在所述鳍片之间形成有隔离结构；实施臭氧清洗处理，以在所述鳍片的未被所述隔离结构遮蔽的表面形成氧化层；实施SiCoNi清洗处理，直至去除所述氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||