发明名称 | 一种基于忆阻器的三维结构存储器 | ||
摘要 | 本发明涉及存储器技术领域,公开了一种基于忆阻器的三维结构存储器,包括存储器基体、控制电路和地址缓冲装置,所述控制电路设置于存储器基体内,所述地址缓冲装置与控制电路电性连接,还包括地址译码装置及与地址译码装置电性连接的阵列存储装置,所述地址译码装置与地址缓冲装置电性连接,所述阵列存储装置还连接有放大电路,所述放大电路连接有输出缓冲器;本三维结构存储器采用忆阻器作为存储介质,利用忆阻器的堆栈特性,实现大容量的存储,而且,由于忆阻器的能耗低,使整体的存储器能耗大幅下降,本存储器还具有结构简单的优点。 | ||
申请公布号 | CN104978996A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
申请号 | CN201510440583.4 | 申请日期 | 2015.07.24 |
申请人 | 广东科技学院 | 发明人 | 莫夫;谭志平 |
分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人 | 张明 |
主权项 | 一种基于忆阻器的三维结构存储器,包括存储器基体、控制电路和地址缓冲装置,所述控制电路设置于存储器基体内,所述地址缓冲装置与控制电路电性连接,其特征在于:还包括地址译码装置及与地址译码装置电性连接的阵列存储装置,所述地址译码装置与地址缓冲装置电性连接,所述阵列存储装置还连接有放大电路,所述放大电路连接有输出缓冲器。 | ||
地址 | 523000 广东省东莞市南城区西湖路99号 |