| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括：一半导体层；一掺杂阱，设置于该半导体层内且具有一第一导电类型；一漏极区，设置于该掺杂阱内；一源极区与一主体区，设置于该半导体层内；一第一掺杂区，具有一第二导电类型，该第一掺杂区设置于该源极区与该掺杂阱之间；一第二掺杂区，具有该第一导电类型且设置于该源极区之下；一第三掺杂区，具有该第二导电类型且设置于该掺杂阱内；以及一第四掺杂区，设置于该掺杂阱内且位于该第三掺杂区之上，该第四掺杂区具有第一导电类型。此外，上述半导体装置可包括一栅极与一场板。通过本发明可使得半导体元件内具有分隔的源极区与主体区，并且源极区与主体区分别适用于不同电压的操作。 | ||
| 申请公布号 | CN104979389A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410129676.0 | 申请日期 | 2014.04.01 |
| 申请人 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 发明人 | 李琮雄;林鑫成 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 贾磊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体层；一掺杂阱，设置于该半导体层内且具有一第一导电类型；一漏极区，设置于该掺杂阱内；一源极区与一主体区，设置于该半导体层内；一第一掺杂区，具有一第二导电类型，该第一掺杂区设置于该源极区与该掺杂阱之间；一第二掺杂区，具有该第一导电类型且设置于该源极区之下；一第三掺杂区，具有该第二导电类型且设置于该掺杂阱内；以及一第四掺杂区，设置于该掺杂阱内且位于该第三掺杂区之上，该第四掺杂区具有该第一导电类型。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||