发明名称 叠层结构的形成方法以及互连结构的形成方法
摘要 一种叠层结构的形成方法以及互连结构的形成方法,其中叠层结构的形成方法包括:提供衬底;在衬底表面形成刻蚀停止层,且刻蚀停止层的材料中含有氮原子;在刻蚀停止层表面形成过渡层,且形成过渡层的工艺的反应原材料包括硅源、氮源气体和氧源气体,其中,氮源气体的流量从第一流量递减至零,氧源气体的流量从零递增至第二流量;在过渡层表面形成介质层。本发明通过在刻蚀停止层和介质层之间形成过渡层,且形成过渡层的工艺过程中的氮源气体流量递减至零、氧源气体流量从零递增至第二流量,提高了刻蚀停止层和介质层之间的粘附性,优化了刻蚀停止层和介质层之间的结合能力,从而防止介质层与刻蚀停止层之间分层或分离。
申请公布号 CN104979268A 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201410131503.2 申请日期 2014.04.02
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 邓浩
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种叠层结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成刻蚀停止层,且刻蚀停止层的材料中至少包括氮原子;在所述刻蚀停止层表面形成过渡层,且形成过渡层的工艺的反应原材料包括硅源、氮源气体和氧源气体,其中,氮源气体流量从第一流量递减至零,氧源气体流量从零递增至第二流量;在所述过渡层表面形成介质层,且所述介质层的材料中至少包括氧原子。
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