| 发明名称 | 一种化学机械平坦化的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种化学机械平坦化的工艺方法，包括步骤：采用原子层沉积的方法填充金属钨；进行第一去除工艺和第二去除工艺，以实现金属钨的化学机械平坦化，其中，第二去除工艺中的压力和转速分别小于第一去除工艺中的压力和转速。采用两步去除工艺进行金属钨的化学机械平坦化，后一步去除工艺中压力和转速都有所减小，这样，在第二去除工艺中减小研磨过程中的机械作用，从而，可以降低金属栅顶部的金属损失，提高器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104979277A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410146689.9 | 申请日期 | 2014.04.11 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 杨涛;卢一泓;张月;崔虎山;赵超;李俊峰 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民;张应 |
| 主权项 | 一种化学机械平坦化的工艺方法，其特征在于，包括步骤：采用原子层沉积的方法填充金属钨；进行第一去除工艺和第二去除工艺，以实现金属钨的化学机械平坦化，其中，第二去除工艺中的压力和转速分别小于第一去除工艺中的压力和转速。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||