半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括提供半导体基底，具有第一导电类型；于半导体基底上形成外延层，具有第一导电类型；于外延层中形成多个第一沟槽；于第一沟槽的侧壁和底面上形成多个第一绝缘衬垫层；将具有第一导电类型的第一掺质沿第一沟槽的侧壁掺杂外延层，以形成多个第一掺杂区；将第一绝缘材料填入第一沟槽；于上述外延层中形成多个第二沟槽；于第二沟槽的侧壁和底面上形成多个第二绝缘衬垫层；将具有第二导电类型的第二掺质沿第二沟槽的侧壁掺杂外延层，以形成多个第二掺杂区；将第二绝缘材料填入第二沟槽。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括下列步骤：提供一半导体基底，具有一第一导电类型；于所述半导体基底上形成一外延层，具有所述第一导电类型；于所述外延层中形成多个第一沟槽；顺应性于所述第一沟槽的侧壁和底面上形成多个第一绝缘衬垫层；进行一第一掺杂工艺，将具有所述第一导电类型的一第一掺质沿所述第一沟槽的所述侧壁掺杂所述外延层，以形成多个第一掺杂区；将一第一绝缘材料填入所述第一沟槽；于所述外延层中形成多个第二沟槽；顺应性于所述第二沟槽的侧壁和底面上形成多个第二绝缘衬垫层；进行一第二掺杂工艺，将具有一第二导电类型的一第二掺质沿所述第二沟槽的所述侧壁掺杂所述外延层，以形成多个第二掺杂区；将一第二绝缘材料填入所述第二沟槽；以及形成多个栅极结构，其中所述栅极结构分别覆盖所述第一沟槽且覆盖相邻所述第一沟槽的部分所述外延层，其中所述栅极结构的侧壁设于所述第一掺杂区的边界之内；所述第一沟槽被所述栅极结构覆盖，且所述第一沟槽的底面位于所述第一掺杂区内。