| 发明名称 | 感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及感光膜的设置方法、半导体装置的制造方法及电子设备。提供形状精度高地设置膜厚薄的区域的抗蚀膜的方法。该感光膜的设置方法具有：在基板主体(10)上设置光致抗蚀膜(15)，使用光透过率为3灰度以上的半色调掩膜(30)进行曝光，使光致抗蚀膜(15)显影的工序，显影后的光致抗蚀膜(15)具有第一光致抗蚀膜(16)和比第一光致抗蚀膜(16)厚的第二光致抗蚀膜(17)，在显影后的基板主体(10)上，在不除去光致抗蚀膜(15)而可以设置第二光致抗蚀膜(17)的位置设置第二光致抗蚀膜(17)。 | ||
| 申请公布号 | CN104977819A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510174089.8 | 申请日期 | 2015.04.13 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 世良博;中岛嘉树 |
| 分类号 | G03F7/32(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种感光膜的设置方法，其特征在于，包括：曝光工序，使用具有第一灰度和第二灰度的光掩膜使在基板上形成的第一感光膜曝光；显影工序；以及杂质注入工序，注入规定的杂质，所述显影工序后形成的第二感光膜中，以所述第一灰度被曝光的第一区域的厚度比以所述第二灰度被曝光的第二区域的厚度厚，所述第一区域的厚度是不使所述规定的杂质透过的厚度，以在所述显影工序中不需要除去所述第一感光膜的区域成为所述第一区域的方式构成所述光掩膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||