半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括：一半导体层，具有一第一导电类型；多个第一掺杂区，沿一第一方向而平行且分隔地设置于这些半导体层的一部分中，其中这些第一掺杂区具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型以及长方形的一形状；一栅极结构，沿一第二方向而设置于该半导体层的一部分上，覆盖这些掺杂区的一部分；一第二掺杂区，沿该第二方向而设置于该半导体层内并邻近该栅极结构的一第一侧，具有该第二导电类型；以及一第三掺杂区，沿该第二方向而设置于相对于该栅极结构第一侧的一第二侧的该半导体层内并邻近这些掺杂区，具有该第二导电类型。通过本发明，即使高电压金氧半导体场效晶体管在半导体装置中的尺寸微缩的情况下仍可有效维持半导体装置中的组件的表现。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体层，具有一第一导电类型；多个第一掺杂区，沿一第一方向而平行且分隔地设置于所述半导体层的一部分中，其中所述第一掺杂区具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型以及长方形的一上视形状；一栅极结构，沿一第二方向而设置于该半导体层的一部分上；一第二掺杂区，沿该第二方向而设置于该半导体层内并邻近该栅极结构的一第一侧，其中该第二掺杂区具有该第二导电类型，该栅极结构覆盖该第二掺杂区的一部分；以及一第三掺杂区，沿该第二方向而设置于相对于该栅极结构第一侧的一第二侧的该半导体层内并邻近所述第一掺杂区，其中该第三掺杂区具有该第二导电类型。