一种多晶硅片的制作工艺

摘要

本发明公开了一种多晶硅片的制作工艺，所述制作工艺包括砂浆配置、硅片切割、硅片脱胶、硅片清洗、烘干和检测入库等工艺步骤，本发明适用于多线切割多晶硅片的技术领域，降低了硬质点线痕片的比例，增加了多晶硅片的出片数和成品率，降低了生产成本。

主权项

一种多晶硅片的制作工艺，其特征在于：所述制作工艺包括以下步骤：A、砂浆配置：在砂浆缸中将1500#碳化硅与切削液混合配制密度为1.63‑1.70g/cm³的1500#混合砂浆，在另一砂浆缸种将2000#碳化硅与切削液混合配制密度为1.63‑1.70g/cm³的2000#混合砂浆，之后将1500#混合砂浆与2000#混合砂浆混合搅拌制得砂浆，所述砂浆的密度为1.63‑1.70g/cm³；B、硅片切割：将砂浆装入多线切片机中，启动、热机,砂浆在切割工作区进行充分循环后，采用直径不大于0.11mm的钢线在10‑20N的张力作用下往复运行，其中钢线的线速度为600—800m/min，放置有多晶铸锭的工作台的进给速度为0.1‑0.4mm/min，加工时间为9‑14h；C、硅片脱胶：对切割完毕的多晶硅片进行脱胶处理；首先使用进行去离子纯水＞15兆的纯水进行去离子纯水喷淋粗洗，粗洗的时间为800‑1200s，喷淋完毕之后将多晶硅片浸泡在乳酸中进行脱胶处理，浸泡温度为45‑55℃，浸泡时间为800s‑1200s；D、硅片清洗、烘干：脱胶完毕的多晶硅片分片插栏后，进行多次清洗；清洗完成后将多晶硅片烘干，烘干温度为80‑90℃，烘干时间为250‑300s；E、检测入库：对多晶硅片进行检测，合格的产品转入下道工序或者入库保存。