| 摘要 |
<p>예시적인 시스템은 챔버를 포함할 수 있고, 챔버는 챔버의 프로세싱 영역에 반도체 기판을 수용(contain)하도록 구성된다. 시스템은, 챔버의 제 1 액세스(access)와 유체적으로(fluidly) 커플링되며, 제 1 액세스를 통해 챔버 내로 제 1 전구체를 전달하도록 구성되는 제 1 원격 플라즈마 유닛을 포함할 수 있다. 시스템은 또한, 챔버의 제 2 액세스와 유체적으로 커플링되며, 제 2 액세스를 통해 챔버 내로 제 2 전구체를 전달하도록 구성되는 제 2 원격 플라즈마 유닛을 더 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 액세스는, 챔버의 프로세싱 영역과 분리되어 있고 프로세싱 영역과 유체적으로 커플링된, 챔버의 혼합 영역(mixing region)과 유체적으로 커플링될 수 있다. 혼합 영역은, 제 1 및 제 2 전구체들이 챔버의 프로세싱 영역 외부에서(externally) 서로 상호작용하게 허용하도록 구성될 수 있다.</p> |
