| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，其采用化学气相沉积法填充衬底外延层中的沟槽。执行第一填充步骤，使用至少包括硅源和卤化物的混合气体填充所述沟槽，以形成半导体层，至少在所述沟槽填充的最后一个填充步骤中使用硅源气体而不使用卤化物气体填充沟槽，直到沟槽被完全填满。该方法既保证了沟槽的填充质量，又缩短了整个沟槽的填充时间，从而提高了具有沟槽结构尤其是具有深沟槽结构的半导体器件的生产效率，降低该半导体器件的生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103094067B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201110337812.1 | 申请日期 | 2011.10.31 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘继全;肖胜安;季伟 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述衬底表面设有外延层，所述外延层中设置有若干沟槽；所述衬底的外延层被划分为有源区和无源区；位于有源区的沟槽具有第一深度和第一宽度；执行第一填充步骤，使用至少包括硅源和卤化物的混合气体填充所述沟槽，以形成半导体层；至少在所述沟槽填充的最后一个填充步骤中使用硅源气体而不使用卤化物气体填充沟槽；当有源区的沟槽中所述半导体层与沟槽顶部沿沟槽深度方向的最大距离小于或等于第一宽度的1.6倍时，终止所述第一填充步骤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||