| 发明名称 | 一种ETOX NOR型闪存的结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ETOX NOR型闪存的结构及其制作方法，其中，ETOX NOR型闪存的结构包括：P型衬底；位于所述P型衬底中的深N型阱区和P型阱区，其中，所述P型阱区位于所述深N型阱区上；位于所述P型阱区中的第一沟槽；位于所述P型阱区中的表面沟道层，以及衬在所述第一沟槽的内壁和覆盖在所述表面沟道层的表面的隧道氧化层；位于所述隧道氧化层上的浮栅和位于所述隧道氧化层下的有源区；以及位于所述浮栅上的多晶硅间电介质层和位于所述多晶硅间电介质层上的控制栅。本发明在保证存储单元的沟道长度足够长的情况下，可以使浮栅的宽度微缩，从而可以使ETOX NOR型闪存能够微缩至45nm节点以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104979354A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410128739.0 | 申请日期 | 2014.04.01 |
| 申请人 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 发明人 | 冯骏;舒清明 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 胡彬;邓猛烈 |
| 主权项 | 一种ETOX NOR型闪存的结构，其特征在于，包括：P型衬底；位于所述P型衬底中的深N型阱区和P型阱区，其中，所述P型阱区位于所述深N型阱区上；位于所述P型阱区中的第一沟槽；位于所述P型阱区中的表面沟道层，以及衬在所述第一沟槽的内壁和覆盖在所述表面沟道层的表面的隧道氧化层；位于所述隧道氧化层上的浮栅和位于所述隧道氧化层下的有源区；以及位于所述浮栅上的多晶硅间电介质层和位于所述多晶硅间电介质层上的控制栅。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 | ||