| 发明名称 | 一种Ⅲ族氮化物外延晶体及其生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种III族氮化物外延晶体及其生长方法，自下而上依次包含衬底，第一III族氮化物外延层，石墨烯，图形化掩膜层，第二III族氮化物外延层。本发明的一种III族氮化物外延晶体具有低应力，低缺陷密度等优点，且其制备工艺可控，适于工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104979442A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510377450.7 | 申请日期 | 2015.06.30 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 周玉刚;孙陈红;张荣 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种III族氮化物外延晶体，其特征在于：自下而上依次包含衬底，第一III族氮化物外延层，石墨烯，图形化掩膜层，第二III族氮化物外延层。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||