| 发明名称 | 硅晶片的热处理方法和硅晶片 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于确保硅晶片的表层和主体的强度，并且提高晶体品质的面内均匀性。解决手段为构成硅晶片的热处理方法，该硅晶片的热处理方法具有如下工序：第1工序，在氧化气氛中以1300℃～1400℃的保持温度进行热处理；第2工序，将上述第1工序中热处理的硅晶片以10℃/秒～150℃/秒的冷却速度进行冷却；以及第3工序，将上述第2工序中冷却的硅晶片在氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时。 | ||
| 申请公布号 | CN104979191A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510167489.6 | 申请日期 | 2015.04.10 |
| 申请人 | 环球晶圆日本股份有限公司 | 发明人 | 须藤治生;荒木浩司;青木龙彦;前田进 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 苗堃;金世煜 |
| 主权项 | 一种硅晶片的热处理方法，具有如下工序：第1工序，对于从通过提拉法生长的硅锭切出的硅晶片，在氧化气氛中以1300℃～1400℃的保持温度进行热处理；第2工序，将在所述第1工序中热处理的硅晶片在氧化气氛中以10℃/秒～150℃/秒的冷却速度进行冷却；以及第3工序，将在所述第2工序中冷却的硅晶片在氧化气氛中以800℃～1250℃的保持温度热处理1小时～100小时。 | ||
| 地址 | 日本新潟县 | ||