| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层上形成氮化硼层；刻蚀所述氮化硼层和介质层，至露出衬底，形成开口；对所述开口两侧的氮化硼层进行回刻，增大开口上方的宽度；于所述开口内填充满金属层。本发明半导体结构的形成方法通过回刻氮化硼层增大半导体结构中开口的宽度，以利于开口中金属层的填充，避免所形成的金属层内包含空洞，提高了所形成半导体器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103515292B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201210203519.0 | 申请日期 | 2012.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层表面形成氮化硼层；在所述氮化硼层表面形成包含通孔图案的氮化钛层；以所述氮化钛层为掩模，刻蚀所述氮化硼层和介质层，至暴露出停止层，形成开口；以所述氮化钛层为掩模，对所述开口两侧的氮化硼层进行回刻，增大开口上方的宽度；去除所述氮化钛层；于所述开口内填充满金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||