MOS器件闩锁效应的监测结构

摘要

本发明公开了一种MOS器件闩锁效应的监测结构，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱，每个N阱中分别形成有一对有源区，每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一N+有源区和一P+有源区组成，各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧。本发明的MOS器件闩锁效应的监测结构，能定量的给出实际的MOS器件输入输出区域到内部电路安全距离。

主权项

一种MOS器件闩锁效应的监测结构，其特征在于，包括从左到右依次相邻接的模拟输入输出区域、模拟防护环区域、模拟内部电路区域；所述模拟输入输出区域，为一个N阱，所述输入输出区域N阱左部中形成有一N+有源区，右部中形成有一P+有源区；所述模拟防护环区域，包括从左到右依次相邻接的一个P阱、一个N阱，所述防护环区域P阱中形成有一P+有源区，所述防护环区域N阱中形成有一N+有源区；所述模拟内部电路区域，包括一个P阱和多个N阱；模拟内部电路区域的所述多个N阱嵌在模拟内部电路区域的所述P阱间；模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱中分别形成有一对有源区，模拟内部电路区域的所述多个N阱中的每个N阱上方或下方的P阱中分别形成有一对有源区，每对有源区由一N+有源区和一P+有源区组成，模拟内部电路区域的各个N阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧，模拟内部电路区域的P阱中的各对有源区的同型有源区同在左侧或同在右侧；所述模拟输入输出区域到模拟内部电路区域各内部电路单元的距离有不同；或者，所述模拟内部电路区域中各内部电路单元同一对有源区中P+有源区到N+有源区的距离有不同；模拟内部电路区域的每个N阱的一对有源区同位于其上方或下方的P阱中的一对有源区组成一个内部电路单元。