| 发明名称 | 高压P型LDMOS结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压P型LDMOS结构，在P型硅衬底上形成有一深N阱，在所述深N阱的左部内形成有一N阱，在所述N阱上形成源端及体端，在所述深N阱的右部内形成有一P漂移区，在所述P漂移区上形成漏端，所述深N阱的左右两侧相邻接分别形成有左侧浅N阱和右侧浅N阱，在左侧浅N阱的左侧及右侧浅N阱的右侧分别形成有P型隔离环。本发明还公开了一种高压P型LDMOS结构的制造方法。本发明，能在确保高压P型LDMOS器件垂直方向上的PNP穿通问题的同时大幅减少隔离环的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN103107191B | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201110353370.X | 申请日期 | 2011.11.10 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘剑;段文婷;孙尧;陈瑜;陈华伦 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王江富 |
| 主权项 | 一种高压P型LDMOS结构，在P型硅衬底上形成有一深N阱，在所述深N阱的左部内形成有一N阱，在所述N阱上形成源端及体端，在所述深N阱的右部内形成有一P漂移区，在所述P漂移区上形成漏端，其特征在于，所述深N阱的左右两侧相邻接分别形成有左侧浅N阱和右侧浅N阱，在左侧浅N阱的左侧及右侧浅N阱的右侧分别形成有P型隔离环；左侧浅N阱内形成有等势环。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||