一种超级结的制备工艺方法

摘要

本发明公开了一种超级结的制备工艺方法，包括如下步骤：1，准备一片N型外延硅片做衬底；2，通过一层光罩定义出深沟槽的图案，采用干法刻蚀的方法，形成深沟槽；3，在深沟槽内填充P型硅，形成P柱，随后用化学机械研磨方法将硅片表面磨平；4，利用光罩定义出需要P阱注入的区域，再利用高能离子注入P型杂质形成P阱，然后采用快速热处理的方法对掺杂离子进行激活；5，依次沉积一层氧化硅和掺杂多晶硅作为栅极，然后通过光刻和刻蚀工艺形成栅极；6，利用离子注入形成源极；7，等器件制备的所有工艺进行完后，再进行晶背减薄和蒸金在晶片背面形成漏极。本发明能有效降低P阱的热预算，减少P阱横向扩散长度，增加单位面积内的晶体管数量。

主权项

一种超级结的制备工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，准备一片N型外延硅片做衬底；步骤2，通过一层光罩定义出深沟槽的图案，采用干法刻蚀的方法，形成深沟槽；步骤3，在深沟槽内填充P型硅，形成P柱，随后用化学机械研磨方法将硅片表面磨平；步骤4，利用光罩定义出需要P阱注入的区域，然后利用高能离子注入P型杂质形成P阱，注入能量范围在1‑2.5Mev，然后采用快速热处理的方法对掺杂离子进行激活；步骤5，依次沉积一层氧化硅和掺杂多晶硅作为栅极，然后通过光刻和刻蚀工艺形成栅极；步骤6，利用离子注入形成源极；步骤7，等器件制备的所有工艺进行完后，再进行晶背减薄和蒸金在晶片背面形成漏极。