光电子器件和用于制造光电子器件的方法

摘要

本发明涉及用于尤其在远场中混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件(1)。在支承体(2)上设有至少一个第一半导体芯片(3)以发射在第一光谱范围中的电磁辐射。此外，在支承体(2)上设有至少一个第二半导体芯片(4、4a、4b)以发射在第二光谱范围中的电磁辐射。第一和第二光谱范围彼此不同。至少一个第一半导体芯片(3)和至少一个第二半导体芯片(4、4a、4b)设置在唯一的封装件中。通过隔离件(5)将至少一个第一半导体芯片(3)与至少一个第二半导体芯片(4、4a、4b)光学地分隔开。至少一个第一半导体芯片(3)和至少一个第二半导体芯片(4、4a、4b)分别中心对称地围绕共同的对称中心设置。

主权项

用于混合具有不同波长的电磁辐射的光电子器件（1），所述光电子器件具有：‑支承体（2），‑多个设置在所述支承体（2）上的第一半导体芯片（3），以用于发射在第一光谱范围中的电磁辐射，并且其中所述第一半导体芯片（3）设置在内部区域中，‑多个设置在所述支承体（2）上的第二半导体芯片（4、4a、4b），以用于发射在第二光谱范围中的电磁辐射，其中所述第二半导体芯片（4、4a、4b）设置在外部区域中，其中所述外部区域围绕所述内部区域伸展并且包围所述内部区域，‑其中所述第一半导体芯片（3）和所述第二半导体芯片（4、4a、4b）设置在唯一的封装件中，‑其中所述第一半导体芯片（3）和所述第二半导体芯片（4、4a、4b）分别围绕共同的对称中心（Z）中心对称地设置，‑其中具有所述第一半导体芯片（3）的所述内部区域由隔离件（5）环形地围绕，并且其中所述隔离件（5）将所述第一半导体芯片（3）与所述第二半导体芯片（4、4a、4b）光学地分隔开，‑其中具有所述第二半导体芯片（4、4a、4b）的所述外部区域由另外的隔离件（8）环形地围绕，使得所述另外的隔离件（8）不仅包围所述内部区域而且包围所述外部区域，‑其中所述隔离件（5）具有大于90%的反射率，‑并且其中不仅所述第一半导体芯片（3）彼此间没有通过隔离件相互分隔开而且所述第二半导体芯片（4、4a、4b）彼此间没有通过隔离件相互分隔开。