| 发明名称 | 制备快恢复二极管工艺中的铂掺杂方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备快恢复二极管工艺中的铂掺杂方法，所述方法包括如下步骤：（1）将硅片浸泡在铂掺杂溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；（2）红外退火，获得铂掺杂的硅材料。本发明提供的方法克服了现有技术采用蒸发或溅射进行铂掺杂的技术偏见，创新性的采用溶液对硅片材料进行铂掺杂，为快恢复二极管制备工艺中的铂掺杂方法提供了一种新的思路。 | ||
| 申请公布号 | CN104979193A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201410138531.7 | 申请日期 | 2014.04.08 |
| 申请人 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 发明人 | 王学良;陈宏 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋;杨晞 |
| 主权项 | 一种制备快恢复二极管工艺中的铂掺杂方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：（1）将硅片浸泡在铂掺杂溶液中，获得吸附了铂离子的硅片；所述硅片为PN结二极管硅片；（2）红外退火，获得铂掺杂的硅材料。 | ||
| 地址 | 214135 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道180号-22 | ||