发明名称 Method for driving of memory device and memory device for thereof
摘要 <p>메모리 장치의 동작 방법이 제공된다. 메모리 장치의 동작 방법은, 외부로부터 제공된 N(N은 2이상의 자연수) 비트 데이터의 전기적 특성 차이를 판단하여 다수의 메모리 셀들 각각에 프로그램 하는 단계 및 다수의 메모리 셀들 중에서 서로 인접하는 적어도 두 개의 메모리 셀들 각각에 저장된 데이터의 전기적 특성 차이를 판단하고, 판단 결과에 따라 적어도 두 개의 메모리 셀들 각각에 저장된 데이터를 독출하는 단계를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101559336(B1) 申请公布日期 2015.10.13
申请号 KR20080135452 申请日期 2008.12.29
申请人 发明人
分类号 G11C16/04;G11C16/26 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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