| 摘要 |
<p>3차원 반도체 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 3차원 반도체 장치가 제공된다. 3차원 반도체 장치의 제조 방법은 배선 영역 및 콘택 영역을 포함하는 기판을 준비하고, 기판 상에 층간 절연막들을 개재하여 적층된 복수의 희생막들을 포함하며, 콘택 영역에서 계단 형태를 갖는 박막 구조체를 형성하고, 콘택 영역 상에서 박막 구조체를 덮는 절연막을 형성하고, 콘택 영역에서 희생막들 각각에 수직하게 연결된 희생 콘택 패턴들을 형성하고, 희생막들 및 희생 콘택 패턴들을 함께 제거하여, 층간 절연막들 사이에 수평 리세스 영역들과 절연막에 수평 리세스 영역들 각각으로부터 연장된 콘택 리세스 영역들을 형성하고, 수평 및 콘택 리세스 영역들 내에 도전 물질을 채워, 배선 패턴들 및 배선 패턴들 각각으로부터 연속적으로 연장되는 콘택 플러그들을 형성하는 것을 포함한다.</p> |
