| 摘要 |
<p>본 발명은 본드 웨이퍼의 표면에서 수소 이온, 희가스이온 중 적어도 한 종류의 가스이온을 이온주입하여 웨이퍼 내부에 이온주입층을 형성하고, 본드 웨이퍼의 이온주입한 표면과 베이스 웨이퍼의 표면을 직접 또는 절연막을 개재하여 접합한 후, 이온주입층에서 본드 웨이퍼를 박리시키는 접합 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 본드 웨이퍼와 베이스 웨이퍼의 적어도 하나의 접합면에 플라즈마처리를 함으로써 산화막을 성장시키고, 성장시킨 산화막을 에칭처리한 후에 다른 웨이퍼와 접합하는 접합 웨이퍼의 제조방법이다. 이에 의해 직접 또는 절연막을 개재하여 접합할 때, 접합면의 파티클이 감소하고 또한, 견고하게 접합함으로써 접합 웨이퍼의 박막에 발생하는 결함을 방지할 수 있는 접합 웨이퍼의 제조방법이 제공된다.</p> |
