| 摘要 |
<p>본 발명은, 유리 기판 등의 내열성이 낮은 지지 기판에 버퍼층을 개재하여 단결정 반도체 층이 고정된 반도체 기판을 제작한다. 가속된 수소 이온을 반도체 기판에 조사하고, 수소를 다량으로 포함한 손상(損傷) 영역을 형성한다. 단결정 반도체 기판과 지지 기판을 접합한 후, 반도체 기판을 가열하여 손상 영역에서 단결정 반도체 기판을 분리한다. 단결정 반도체 기판으로부터 분리된 단결정 반도체 층에 레이저 빔을 조사한다. 레이저 빔의 조사에 의하여 단결정 반도체 층을 용융시킴으로써, 재결정화하여 그 결정성을 회복시키고, 또 단결정 반도체 층의 표면을 평탄화시킨다. 레이저 빔을 조사한 후, 단결정 반도체 층을 용융시키지 않는 온도로 가열하여 그 라이프 타임(life time)을 향상시킨다.</p> |
