发明名称 Flipped-Gate-Stromreferenz und Verfahren zu ihrer Verwendung
摘要 Stromreferenz (100), die Folgendes umfasst: einen Tracking-Spannungsgenerator (110; 300), der Folgendes umfasst: einen Flipped-Gate-Transistor (M1); einen ersten Transistor (M2), wobei der erste Transistor (M2) einen ersten Leckstrom aufweist, wobei der erste Transistor (M2) mit dem Flipped-Gate-Transistor (M1) in einer subtraktiven Vgs-Anordnung verbunden ist; einen Ausgabeknoten, der so konfiguriert ist, dass er eine Tracking-Spannung (VTRK) ausgibt; einen zweiten Transistor (M3), der mit dem Ausgabeknoten verbunden ist, wobei der zweite Transistor (M3) einen zweiten Leckstrom aufweist; einen Verstärker (120; 400), der so konfiguriert ist, dass er die Tracking-Spannung (VTRK) empfängt und ein verstärktes Signal ausgibt; einen Steuertransistor (M11), der so konfiguriert ist, dass er das verstärkte Signal empfängt und einen Referenzstrom (Iref) durch sich leitet; und einen Steuerwiderstand (R11), der in Serie mit dem Steuertransistor (M11) verbunden ist.
申请公布号 DE202014010487(U1) 申请公布日期 2015.10.12
申请号 DE20142010487U 申请日期 2014.10.28
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. 发明人
分类号 G05F3/16 主分类号 G05F3/16
代理机构 代理人
主权项
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