| 摘要 |
<p>본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판처리방법은 식각하고자 하는 박막과 상기 박막 상에 식각 패턴을 가지는 감광막이 형성된 기판을 식각 가스를 이용하여 식각하되, 챔버 내에 제공된 모노폴라 전극을 가진 정전척 상에 기판을 위치시키고, 상기 챔버 내에 제공된 척킹용 가스로부터 발생된 플라즈마와 상기 모노폴라 전극에 인가된 직류 전류에 의한 정전기력에 의해 상기 기판을 상기 정전척에 고정시키며, 상기 감광막 상에는 상기 플라즈마로부터 발생되는 자외선에 의해 상기 감광막이 손상되는 것을 방지하도록 상기 감광막과 상이한 특성을 가지는 보호막이 형성된다. 기판 척킹 시 자외선에 의해 감광막이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.</p> |
